简介
静电势（ESP）是表征材料表面电荷分布、极性、活性位点与相互作用趋势的重要电子结构性质，广泛用于催化、表面吸附、分子识别、界面作用等体系的微观机理分析。本项目基于第一性原理计算，对材料表面、分子体系及异质结界面进行静电势计算与可视化分析。
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1.分子体系（Gaussian / ORCA）
计算流程（3 步）
优化结构
算单点 + 输出波函数
用 Multiwfn + VMD 绘图
2.固体 / 表面体系（VASP）
计算流程（3 步）
优化结构
SCF 自洽 + 静电势输出
用 VESTA 画图
计算流程（3 步）
优化结构
算单点 + 输出波函数
用 Multiwfn + VMD 绘图
2.固体 / 表面体系（VASP）
计算流程（3 步）
优化结构
SCF 自洽 + 静电势输出
用 VESTA 画图
下单须知
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方案与预期制定方案时请明确计算结果预期；我们将保证方法科学、过程透明、结果可复现。
计算结果受多种因素影响，无法保证完全符合预期，请知悉此风险。 -
方案确认方案确认是项目关键，请仔细审核并确认所有细节；我们将严格按最终确认方案执行，保障结果有效。
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交付范围标准交付：计算方法说明、完整数据、结构文件及输出结果。
不含：计算输入文件、图表美化等服务；特殊需求请提前沟通。 -
信息准确性计算将严格遵循确认的方案（含体系、边界、参数、方法、软件等）。
请确保计算前提供信息准确；结果交付后，不接受因初始信息偏差导致的售后请求。 -
软件版权计算所需软件版权由客户自行解决；如需协助，请在需求澄清阶段提出。
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服务边界服务专注于计算本身，交付成果为计算数据及说明；不含论文撰写、深度数据分析解读。
欢迎就数据结果与计算工程师交流讨论。 -
论文答疑对基于我方数据发表的论文，可就理论计算部分与审稿人交流答疑（不包括代写回复信函）。
需补充计算内容时，可提供优惠增值服务。 -
论文发表论文发表成功与否受多因素影响，我方不承担拒稿责任。
若遇拒稿，将共同面对、协助分析审稿意见并寻找解决方案。 -
方案变更计算结果严格依据确认方案得出，提交后不接受因计算过程疑问而修改方案的请求。
售后确需变更，将视情况收取额外费用。 -
数据保存计算原始数据将备份保存 3 个月；请在收到结果后 1 周内反馈问题。
超期后，我方不再对数据丢失负责。 -
保密义务高度重视学术成果与隐私安全，在您论文公开发表前，对项目所有计算细节严格保密。
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